MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16HA-107AAT:E от Micron Technology и K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ АктивенSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,95 | $2,30 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | — |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.35 V |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Задержка CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |