MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107AAT:E 제조: Micron Technology 및 K4B4G1646D-BYH9 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.95 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | — |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |