MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16HA-107AAT:E メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.95 | $2.30 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | — |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| データレート | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35 V |
| インターフェース | Parallel | — |
| パッケージ | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CASレイテンシ | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |