MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125IT:E por Micron Technology y NT5CC256M16CP-DIB1 por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ Activo
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125IT:E NT5CC256M16CP-DIB1
Marca Micron Technology Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,50 $6,00
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
Latencia CAS 13.75 ns —
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35V
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
Número de pines 96 —
Interfaz Parallel —
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C 0C to +95C (Tcase)
Tipo de montaje Surface Mount —
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes Yes
Estado RoHS Compliant —
Velocidad de datos DDR3L-1600 1600Mbps (DDR3L-1600)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes

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