MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125IT:E par Micron Technology et NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ Actif
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16HA-125IT:E NT5CC256M16CP-DIB1
Marque Micron Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,50 $6,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
Latence CAS 13.75 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35V
Boîtier 96-FBGA (9x14 mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
Nombre de broches 96 —
Interface Parallel —
Température de fonctionnement -40°C to +95°C 0C to +95C (Tcase)
Type de montage Surface Mount —
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes Yes
Statut RoHS Compliant —
Débit de données DDR3L-1600 1600Mbps (DDR3L-1600)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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