MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125IT:E 出自 Micron Technology 和 NT5CC256M16CP-DIB1 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 量产中
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125IT:E NT5CC256M16CP-DIB1
品牌 Micron Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.50 $6.00
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
CAS 延迟 13.75 ns —
电源电压 1.35 V 1.35V
封装 96-FBGA (9x14 mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
引脚数 96 —
接口 Parallel —
工作温度 -40°C to +95°C 0C to +95C (Tcase)
安装类型 Surface Mount —
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes Yes
RoHS 状态 Compliant —
数据速率 DDR3L-1600 1600Mbps (DDR3L-1600)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
RoHS — Compliant
无卤 — Yes

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