MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125IT:E 제조: Micron Technology 및 NT5CC256M16CP-DIB1 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125IT:E | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.50 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | 13.75 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35V |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| 핀 수 | 96 | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | 0C to +95C (Tcase) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Lead Free | Yes | Yes |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 데이터 속도 | DDR3L-1600 | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |