MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-15EM:E por Micron Technology y K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,95 | $7,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Velocidad de datos | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| Latencia CAS | 15 | Programmable |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Número de pines | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |