MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-15EM:E por Micron Technology e K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ AtivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,95 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Taxa de dados | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| Latência CAS | 15 | Programmable |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Número de pinos | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Interface | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |