MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-15EM:E par Micron Technology et K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,95 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Débit de données | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| Latence CAS | 15 | Programmable |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Interface | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |