MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16LY-107:N por Micron Technology y H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16LY-107:N | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Frecuencia de reloj máxima | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.5 V |
| Encapsulado / Carcasa | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| Estilo de montaje | Surface Mount | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Encapsulado | — | 96-ball TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Velocidad de datos | — | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |