MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C 对比

详细并排对比 MT41K256M16LY-107:N 出自 Micron Technology 和 H5TQ4G63AFR-H9C 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 量产中
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16LY-107:N H5TQ4G63AFR-H9C
品牌 Micron Technology SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $6.50
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR3 SDRAM
存储容量 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 256M x 16
数据总线宽度 16 bit —
最大时钟频率 933 MHz —
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35 V 1.5 V
封装 / 外壳 96-FBGA (7.5x13.5) —
安装方式 Surface Mount —
工作温度范围 0°C to +95°C (Tc) —
RoHS Compliant Compliant
Memory Format DRAM —
Technology DDR3L —
Supply Voltage - Min 1.283 V —
Supply Voltage - Max 1.45 V —
Density — 4 Gb
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
封装 — 96-ball TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
无卤 — Yes
安装类型 — Surface Mount
数据速率 — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价