MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16LY-107:N por Micron Technology e H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Ativo
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16LY-107:N H5TQ4G63AFR-H9C
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $6,50
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR3 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Largura do barramento de dados 16 bit —
Frequência máxima de clock 933 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35 V 1.5 V
Encapsulamento / Caixa 96-FBGA (7.5x13.5) —
Estilo de montagem Surface Mount —
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C (Tc) —
RoHS Compliant Compliant
Memory Format DRAM —
Technology DDR3L —
Supply Voltage - Min 1.283 V —
Supply Voltage - Max 1.45 V —
Density — 4 Gb
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Encapsulamento — 96-ball TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
Livre de halogênio — Yes
Tipo de montagem — Surface Mount
Taxa de dados — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

Fichas técnicas e recursos

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