MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107 por Micron Technology y K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,10 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 95°C (Tc) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Velocidad de datos | — | 1600 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Latencia CAS | — | 11 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |