MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-107 par Micron Technology et K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,10 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 95°C (Tc) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Débit de données | — | 1600 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Latence CAS | — | 11 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |