MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16LY-107 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107 por Micron Technology y MT41K256M16LY-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-107 | MT41K256M16LY-107 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,10 | $2,25 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V / 1.5V |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | 16 bit |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (commercial :P grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Latencia CAS | — | 20 ns |
| Velocidad de datos | — | 1866 MT/s |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Número de pines | — | 96 |
| REACH Status | — | Compliant |
| Memory Format | — | DRAM |