MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16LY-107 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16TW-107 por Micron Technology e MT41K256M16LY-107 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16TW-107 | MT41K256M16LY-107 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,10 | $2,25 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35V / 1.5V |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | 16 bit |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +95C (commercial :P grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Latência CAS | — | 20 ns |
| Taxa de dados | — | 1866 MT/s |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Número de pinos | — | 96 |
| REACH Status | — | Compliant |
| Memory Format | — | DRAM |