MT41K256M16TW-107 vs MT41K256M16LY-107 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-107 par Micron Technology et MT41K256M16LY-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16TW-107 | MT41K256M16LY-107 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,10 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V / 1.5V |
| Largeur du bus de données | 16 bit | 16 bit |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (commercial :P grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Latence CAS | — | 20 ns |
| Débit de données | — | 1866 MT/s |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Nombre de broches | — | 96 |
| REACH Status | — | Compliant |
| Memory Format | — | DRAM |