MX30UF4G26AB vs MX30UF4G28AB Comparación

Comparación detallada lado a lado de MX30UF4G26AB por Macronix y MX30UF4G28AB por Macronix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MX30UF4G26AB MX30UF4G28AB
Marca Macronix Macronix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,25 $2,30
Tipo de memoria FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Memory Density 4 Gbit (512 MB) —
Memory Organization 256M x 16 512M x 8
Supply Voltage (Vcc) 1.7 V to 1.95 V —
Interfaz Parallel (Asynchronous NAND) Parallel (asynchronous)
Access Time 25 ns —
Page Size [DATA_NEEDED: page size in bytes] 2048 bytes + 64 bytes spare (x8)
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Temperatura de funcionamiento -40 C to +85 C -40 °C to +85 °C (industrial)
Encapsulado 63-VFBGA (9 x 11 mm) 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Compliance Standard ONFI 1.0 —
Cell Technology Single-Level Cell (SLC) —
Endurance (P/E Cycles) [DATA_NEEDED: typical endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] [DATA_NEEDED: retention years]
Nivel MSL 3 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP)
Estado RoHS Compliant Compliant
Tamaño de memoria — 4 Gbit
Bus Width — x8 / x16 selectable
Access Time (tRC) — 25 ns (typical)
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ)
Technology — SLC (Single-Level Cell) NAND
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance per block]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización