MX30UF4G26AB vs MX30UF4G28AB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MX30UF4G26AB от Macronix и MX30UF4G28AB от Macronix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MX30UF4G26AB | MX30UF4G28AB |
|---|---|---|
| Бренд | Macronix | Macronix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,25 | $2,30 |
| Тип памяти | FLASH - NAND (SLC) | FLASH - NAND (SLC) |
| Memory Density | 4 Gbit (512 MB) | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (Vcc) | 1.7 V to 1.95 V | — |
| Интерфейс | Parallel (Asynchronous NAND) | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size in bytes] | 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size in pages] | [DATA_NEEDED: block size in pages] |
| Рабочая температура | -40 C to +85 C | -40 °C to +85 °C (industrial) |
| Корпус | 63-VFBGA (9 x 11 mm) | 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Compliance Standard | ONFI 1.0 | — |
| Cell Technology | Single-Level Cell (SLC) | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: typical endurance per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Уровень MSL | 3 | 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Bus Width | — | x8 / x16 selectable |
| Access Time (tRC) | — | 25 ns (typical) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) |
| Technology | — | SLC (Single-Level Cell) NAND |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance per block] |