MX30UF4G26AB vs MX30UF4G28AB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MX30UF4G26AB par Macronix et MX30UF4G28AB par Macronix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MX30UF4G26AB MX30UF4G28AB
Marque Macronix Macronix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,25 $2,30
Type de mémoire FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Memory Density 4 Gbit (512 MB) —
Memory Organization 256M x 16 512M x 8
Supply Voltage (Vcc) 1.7 V to 1.95 V —
Interface Parallel (Asynchronous NAND) Parallel (asynchronous)
Access Time 25 ns —
Page Size [DATA_NEEDED: page size in bytes] 2048 bytes + 64 bytes spare (x8)
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Température de fonctionnement -40 C to +85 C -40 °C to +85 °C (industrial)
Boîtier 63-VFBGA (9 x 11 mm) 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Compliance Standard ONFI 1.0 —
Cell Technology Single-Level Cell (SLC) —
Endurance (P/E Cycles) [DATA_NEEDED: typical endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] [DATA_NEEDED: retention years]
Niveau MSL 3 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP)
Statut RoHS Compliant Compliant
Taille de mémoire — 4 Gbit
Bus Width — x8 / x16 selectable
Access Time (tRC) — 25 ns (typical)
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ)
Technology — SLC (Single-Level Cell) NAND
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance per block]

Fiches techniques et ressources

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