N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV7A0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de N25Q016A11EV7A0 por Micron Technology y N25Q032A13EV7A0 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | EEPROM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,18 | $1,35 |
| Tipo de memoria | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash (SPI) |
| Tamaño de memoria | 16 Mbit (2 MB) | — |
| Interfaz | SPI | SPI |
| Frecuencia de reloj máxima | 108 MHz | — |
| Tensión de alimentación | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| Encapsulado | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +125C |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32 Mbit (4 MB) |
| Organización de memoria | — | 8M x 4 die |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: read access time] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Packaging | — | Tape & Reel (tray options may exist) |