N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV7A0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de N25Q016A11EV7A0 par Micron Technology et N25Q032A13EV7A0 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $1,35 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash (SPI) |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2 MB) | — |
| Interface | SPI | SPI |
| Fréquence d'horloge maximale | 108 MHz | — |
| Tension d'alimentation | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| Boîtier | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +125C |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32 Mbit (4 MB) |
| Organisation de la mémoire | — | 8M x 4 die |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: read access time] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Packaging | — | Tape & Reel (tray options may exist) |