N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV7A0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de N25Q016A11EV7A0 por Micron Technology e N25Q032A13EV7A0 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | EEPROM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,18 | $1,35 |
| Tipo de memória | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash (SPI) |
| Tamanho da memória | 16 Mbit (2 MB) | — |
| Interface | SPI | SPI |
| Frequência máxima de clock | 108 MHz | — |
| Tensão de alimentação | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| Encapsulamento | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +125C |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32 Mbit (4 MB) |
| Organização da memória | — | 8M x 4 die |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: read access time] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Packaging | — | Tape & Reel (tray options may exist) |