N25Q032A13EV7A0 vs N25Q016A11EV7A0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de N25Q032A13EV7A0 por Micron Technology y N25Q016A11EV7A0 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | N25Q032A13EV7A0 | N25Q016A11EV7A0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | EEPROM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,35 | $1,18 |
| Tipo de memoria | NOR Flash (SPI) | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | 32 Mbit (4 MB) | — |
| Organización de memoria | 8M x 4 die | — |
| Interfaz | SPI | SPI |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tensión de alimentación | 2.7 V to 3.6 V | 1.8 V (V11 grade) |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Encapsulado | VDFPN8 (8-lead MLP8) | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Flash (NOR) | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: read access time] | — |
| Program/Erase Modes | Page program, sector erase, bulk erase | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Packaging | Tape & Reel (tray options may exist) | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Mbit (2 MB) |
| Frecuencia de reloj máxima | — | 108 MHz |
| Protocol Support | — | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Programming | — | Page program, sector/block erase |
| Family | — | N25Q |
| Speed Grade | — | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) |
| Erase/Program Cycles | — | [DATA_NEEDED: Endurance] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] |