N25Q032A13EV7A0 vs N25Q016A11EV7A0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de N25Q032A13EV7A0 par Micron Technology et N25Q016A11EV7A0 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | N25Q032A13EV7A0 | N25Q016A11EV7A0 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | EEPROM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,35 | $1,18 |
| Type de mémoire | NOR Flash (SPI) | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | 32 Mbit (4 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 8M x 4 die | — |
| Interface | SPI | SPI |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | 1.8 V (V11 grade) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Boîtier | VDFPN8 (8-lead MLP8) | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Flash (NOR) | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: read access time] | — |
| Program/Erase Modes | Page program, sector erase, bulk erase | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Packaging | Tape & Reel (tray options may exist) | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Mbit (2 MB) |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 108 MHz |
| Protocol Support | — | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Programming | — | Page program, sector/block erase |
| Family | — | N25Q |
| Speed Grade | — | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) |
| Erase/Program Cycles | — | [DATA_NEEDED: Endurance] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] |