N25Q032A13EV7A0 vs N25Q016A11EV7A0 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q032A13EV7A0 제조: Micron Technology 및 N25Q016A11EV7A0 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q032A13EV7A0 | N25Q016A11EV7A0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.35 | $1.18 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (SPI) | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | 32 Mbit (4 MB) | — |
| 메모리 구성 | 8M x 4 die | — |
| 인터페이스 | SPI | SPI |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 1.8 V (V11 grade) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| 패키지 | VDFPN8 (8-lead MLP8) | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Flash (NOR) | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: read access time] | — |
| Program/Erase Modes | Page program, sector erase, bulk erase | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Packaging | Tape & Reel (tray options may exist) | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit (2 MB) |
| 최대 클록 주파수 | — | 108 MHz |
| Protocol Support | — | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Programming | — | Page program, sector/block erase |
| Family | — | N25Q |
| Speed Grade | — | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) |
| Erase/Program Cycles | — | [DATA_NEEDED: Endurance] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] |