N25Q032A13EV7A0 vs N25Q016A11EV7A0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de N25Q032A13EV7A0 por Micron Technology e N25Q016A11EV7A0 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | N25Q032A13EV7A0 | N25Q016A11EV7A0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | EEPROM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,35 | $1,18 |
| Tipo de memória | NOR Flash (SPI) | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | 32 Mbit (4 MB) | — |
| Organização da memória | 8M x 4 die | — |
| Interface | SPI | SPI |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tensão de alimentação | 2.7 V to 3.6 V | 1.8 V (V11 grade) |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Encapsulamento | VDFPN8 (8-lead MLP8) | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Flash (NOR) | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: read access time] | — |
| Program/Erase Modes | Page program, sector erase, bulk erase | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Packaging | Tape & Reel (tray options may exist) | — |
| Tamanho da memória | — | 16 Mbit (2 MB) |
| Frequência máxima de clock | — | 108 MHz |
| Protocol Support | — | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Programming | — | Page program, sector/block erase |
| Family | — | N25Q |
| Speed Grade | — | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) |
| Erase/Program Cycles | — | [DATA_NEEDED: Endurance] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] |