NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16DP-DIH por Nanya Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $20,00 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Encapsulado | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Latencia CAS | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Número de pines | — | 96 |