NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-DIH por Nanya Technology e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $20,00 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Taxa de dados | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Encapsulamento | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Latência CAS | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Número de pinos | — | 96 |