NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16DP-DIH от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $20,00 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Корпус | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C | — |
| Задержка CAS | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Количество выводов | — | 96 |