PJA3415 vs PJA3415AE Comparación

Comparación detallada lado a lado de PJA3415 por Panjit y PJA3415AE por Panjit. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro PJA3415 PJA3415AE
Marca Panjit Panjit
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,05 $0,14
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 4 A (TA = 25C) —
Power Dissipation (PD) 1.25 W (TA = 25C) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Encapsulado SOT-23 SOT-23 (3-pin, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet])
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Manufacturer Panjit International Inc. —
Estado RoHS Compliant Compliant (per Panjit product page)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet])
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — -20 V
Continuous Drain Current (Id) — -4.3 A (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1.25 W (Ta)
Operating Mode — Enhancement Mode
ESD Protection — Yes (gate-integrated, -AE variant)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max]
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board]

Hojas de datos y recursos

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