PJA3415 vs PJA3415AE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de PJA3415 par Panjit et PJA3415AE par Panjit. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre PJA3415 PJA3415AE
Marque Panjit Panjit
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,14
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 4 A (TA = 25C) —
Power Dissipation (PD) 1.25 W (TA = 25C) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Boîtier SOT-23 SOT-23 (3-pin, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet])
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Manufacturer Panjit International Inc. —
Statut RoHS Compliant Compliant (per Panjit product page)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet])
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — -20 V
Continuous Drain Current (Id) — -4.3 A (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1.25 W (Ta)
Operating Mode — Enhancement Mode
ESD Protection — Yes (gate-integrated, -AE variant)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max]
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board]

Fiches techniques et ressources

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