PJA3415 vs PJA3415AE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de PJA3415 por Panjit e PJA3415AE por Panjit. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro PJA3415 PJA3415AE
Marca Panjit Panjit
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,05 $0,14
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 4 A (TA = 25C) —
Power Dissipation (PD) 1.25 W (TA = 25C) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Encapsulamento SOT-23 SOT-23 (3-pin, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet])
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Manufacturer Panjit International Inc. —
Status RoHS Compliant Compliant (per Panjit product page)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet])
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — -20 V
Continuous Drain Current (Id) — -4.3 A (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1.25 W (Ta)
Operating Mode — Enhancement Mode
ESD Protection — Yes (gate-integrated, -AE variant)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max]
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board]

Fichas técnicas e recursos

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