PJA3415AE vs PJA3415 Comparación

Comparación detallada lado a lado de PJA3415AE por Panjit y PJA3415 por Panjit. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro PJA3415AE PJA3415
Marca Panjit Panjit
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,05
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) -20 V —
Continuous Drain Current (Id) -4.3 A (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1.25 W (Ta) —
Operating Mode Enhancement Mode —
ESD Protection Yes (gate-integrated, -AE variant) —
Encapsulado SOT-23 (3-pin, surface mount) SOT-23
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet]) -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max] —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board] —
Nivel MSL Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet]) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant (per Panjit product page) Compliant
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 4 A (TA = 25C)
Power Dissipation (PD) — 1.25 W (TA = 25C)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Número de pines — 3
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA value]
Manufacturer — Panjit International Inc.

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