PJA3415AE vs PJA3415 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de PJA3415AE por Panjit e PJA3415 por Panjit. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro PJA3415AE PJA3415
Marca Panjit Panjit
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,05
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) -20 V —
Continuous Drain Current (Id) -4.3 A (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1.25 W (Ta) —
Operating Mode Enhancement Mode —
ESD Protection Yes (gate-integrated, -AE variant) —
Encapsulamento SOT-23 (3-pin, surface mount) SOT-23
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet]) -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max] —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board] —
Nível MSL Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet]) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant (per Panjit product page) Compliant
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 4 A (TA = 25C)
Power Dissipation (PD) — 1.25 W (TA = 25C)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Número de pinos — 3
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA value]
Manufacturer — Panjit International Inc.

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação