PJA3415AE vs PJA3415 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de PJA3415AE par Panjit et PJA3415 par Panjit. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre PJA3415AE PJA3415
Marque Panjit Panjit
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,05
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) -20 V —
Continuous Drain Current (Id) -4.3 A (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1.25 W (Ta) —
Operating Mode Enhancement Mode —
ESD Protection Yes (gate-integrated, -AE variant) —
Boîtier SOT-23 (3-pin, surface mount) SOT-23
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, [DATA_NEEDED: exact Tj max in datasheet]) -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max] —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: Rds(on) at Vgs] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: theta_JA C/W for SOT-23 board] —
Niveau MSL Level 1 (JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm in datasheet]) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant (per Panjit product page) Compliant
Type de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 4 A (TA = 25C)
Power Dissipation (PD) — 1.25 W (TA = 25C)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Nombre de broches — 3
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RθJA) — [DATA_NEEDED: theta_JA value]
Manufacturer — Panjit International Inc.

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