SPP80P06PHXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de SPP80P06PHXKSA1 por Infineon y IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro SPP80P06PHXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,95 $1,15
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -80 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 340 W —
Encapsulado PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS P-channel trench MOSFET —
Número de pines 3 —
Gate Threshold VGS(th) type [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mOhm] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg in nC] —
Avalanche Energy Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Package Quantity (Tube) 50 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

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