SPP80P06PHXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de SPP80P06PHXKSA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro SPP80P06PHXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,15
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -80 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 340 W —
Encapsulamento PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS P-channel trench MOSFET —
Número de pinos 3 —
Gate Threshold VGS(th) type [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mOhm] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg in nC] —
Avalanche Energy Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Package Quantity (Tube) 50 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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