SPP80P06PHXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок SPP80P06PHXKSA1 от Infineon и IPB35N10S3L26ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 - P-Ch 60V 80A 340W TO-220 MOSFET | Infineon

SPP80P06PHXKSA1 - P-Ch 60V 80A 340W TO-220 MOSFET | Infineon

SPP80P06PHXKSA1 ✓ Активен
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр SPP80P06PHXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,95 $1,15
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -80 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 340 W —
Корпус PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) —
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS P-channel trench MOSFET —
Количество выводов 3 —
Gate Threshold VGS(th) type [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mOhm] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg in nC] —
Avalanche Energy Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Package Quantity (Tube) 50 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену