STI38N65M5 vs IPW65R041CFD Comparación

Comparación detallada lado a lado de STI38N65M5 por STMicroelectronics y IPW65R041CFD por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro STI38N65M5 IPW65R041CFD
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,19 $4,68
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 152 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.099 ohm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4200 pF —
Output Capacitance (Coss) 180 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 12 pF —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado TO-247 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant Compliant (GREEN package per digchip specification listing)
Sin halógenos Yes —
Operating Mode — Enhancement
Technology — CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode)
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 650 V
On-Resistance RDS(on) — 41 mOhm
Continuous Drain Current ID — 68.5 A (Tc)
Power Dissipation PD — 500 W (Tc)
Total Gate Charge Qg — 300 nC
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Body Diode — Integrated fast body diode
Package Color / Material — Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing)
Application Segment — Industrial

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