STI38N65M5 vs IPW65R041CFD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STI38N65M5 par STMicroelectronics et IPW65R041CFD par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre STI38N65M5 IPW65R041CFD
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,19 $4,68
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 152 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.099 ohm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4200 pF —
Output Capacitance (Coss) 180 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 12 pF —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier TO-247 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant Compliant (GREEN package per digchip specification listing)
Sans halogène Yes —
Operating Mode — Enhancement
Technology — CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode)
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 650 V
On-Resistance RDS(on) — 41 mOhm
Continuous Drain Current ID — 68.5 A (Tc)
Power Dissipation PD — 500 W (Tc)
Total Gate Charge Qg — 300 nC
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Body Diode — Integrated fast body diode
Package Color / Material — Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing)
Application Segment — Industrial

Fiches techniques et ressources

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