STW45NM50 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de STW45NM50 por STMicroelectronics y IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro STW45NM50 IPP600N25N3GXKSA1
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,55 $1,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Encapsulado TO-247 —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulado / Carcasa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)

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