STW45NM50 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STW45NM50 par STMicroelectronics et IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre STW45NM50 IPP600N25N3GXKSA1
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,55 $1,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Boîtier TO-247 —
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Boîtier / Format — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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