STW45NM50 vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STW45NM50 por STMicroelectronics e IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro STW45NM50 IPP600N25N3GXKSA1
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,55 $1,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento TO-247 —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento / Caixa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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