UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21710QDWRQ1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments y UCC21710QDWRQ1 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21540QDWKRQ1 UCC21710QDWRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,21 $2,74
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling —
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Encapsulado 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW) wide-body
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento Wide temperature range (automotive) —
Estado RoHS Compliant —
Función — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
RoHS — Compliant

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