UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21710QDWRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments et UCC21710QDWRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21540QDWKRQ1 UCC21710QDWRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $2,74
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling —
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Boîtier 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW) wide-body
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement Wide temperature range (automotive) —
Statut RoHS Compliant —
Fonction — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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