UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21710QDWRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments e UCC21710QDWRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21540QDWKRQ1 UCC21710QDWRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,21 $2,74
Number of Channels 2 —
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling —
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN —
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Encapsulamento 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW) wide-body
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação Wide temperature range (automotive) —
Status RoHS Compliant —
Função — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +150 C
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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