UCC21550Q-Q1 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21550Q-Q1 por Texas Instruments y UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21550Q-Q1 UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,10 $2,21
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced) —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Programmable Dead Time Yes (single resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT Power MOSFET, IGBT, GaN
Temperatura de funcionamiento -40C to +150C Wide temperature range (automotive)
Encapsulado 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) AEC-Q100
Disable Function Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: VDD range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)

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