UCC21550Q-Q1 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550Q-Q1 por Texas Instruments e UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550Q-Q1 UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,10 $2,21
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced) —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Programmable Dead Time Yes (single resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT Power MOSFET, IGBT, GaN
Temperatura de operação -40C to +150C Wide temperature range (automotive)
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) AEC-Q100
Disable Function Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: VDD range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)

Fichas técnicas e recursos

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